PCB Layout參考---兩顆芯片并聯(lián)

兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：

①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。

②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。

③0.1uF電容盡量靠近VDD和GND PIN，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)0.1uF電容。100Ω電阻最好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。

④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。

PCB Layout參考---DFN1*1-4

①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。

②0.1uF電容盡量靠近VDD和GND PIN，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。

③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路最小。

④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（0.1uF）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。

⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。